Các nhà sản xuất DRAM dự kiến sẽ ngừng sản xuất DDR3 và DDR4 vào năm 2025

Các nhà sản xuất DRAM sẽ ngừng sản xuất DDR3 và DDR4 vào năm 2025 nhằm chuyển hướng sang DDR5 và HBM.

: Samsung Electronics, SK Hynix và Micron dự kiến sẽ ngừng sản xuất bộ nhớ DDR3 và DDR4 vào năm 2025. Điều này có thể dẫn đến tình trạng thiếu hụt nguồn cung bắt đầu từ cuối năm đó, với các nhà sản xuất Đài Loan có thể sẽ lấp đầy khoảng trống do các đối thủ Hàn Quốc và Mỹ để lại. Thị trường DRAM có thể co lại trong nửa đầu năm 2025, nhưng dự kiến sẽ phục hồi nhờ nhu cầu tăng cao và quản lý tồn kho thông minh. Winbond Electronics đang lên kế hoạch chuyển sang quy trình 16nm để sản xuất chip DDR mới nhằm đáp ứng xu hướng thị trường.

Samsung Electronics, SK Hynix và Micron, ba nhà sản xuất lớn trong ngành DRAM, đang chuẩn bị ngừng sản xuất các giải pháp bộ nhớ DDR3 và DDR4 và tập trung vào DDR5 và bộ nhớ băng thông cao (HBM). Động thái này có khả năng tạo ra tác động lớn đến thị trường và các khách hàng cuối khi mà họ vẫn còn phụ thuộc vào những công nghệ bộ nhớ cũ.

Nanya Technology, một nhà cung cấp linh kiện quan trọng của Đài Loan, cho thấy chiến lược giá sẽ cần phải thích nghi với điều kiện thị trường mới này. Thị trường DRAM dự kiến sẽ co lại trong nửa đầu năm 2025 nhưng sẽ hồi phục nhanh chóng nhờ vào cầu tăng, quản lý tồn kho thông minh và các sáng kiến kích thích kinh tế ở nhiều khu vực.

Đồng thời, nhà sản xuất IC Đài Loan Winbond Electronics đang có kế hoạch chuyển sang quy trình 16nm trong nửa sau của năm 2025 để sản xuất các chip DDR 8Gb mới. Điều này nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng cao về các sản phẩm bộ nhớ hiệu suất cao, trong khi quy trình 20nm hiện tại chủ yếu sản xuất các chip 4Gb cho các giải pháp bộ nhớ DDR3 và DDR4.