Các nhà sản xuất DRAM tìm kiếm thiết kế mới để vượt qua các trở ngại trong xếp chồng 3D

Các nhà sản xuất DRAM đang tìm kiếm thiết kế mới để giải quyết các rào cản trong việc xây dựng cấu trúc 3D. Các phương pháp hiện tại bao gồm việc giảm kích thước cell, sử dụng kỹ thuật chụp quang học EUV và phát triển cấu trúc không cần tụ điện.

Samsung đang tiên phong phát triển cấu trúc cell 4F2 mới với mục tiêu cải thiện hiệu suất khu vực, sử dụng các vật liệu mới như ferroelectric. Trong khi đó, Lam Research gợi ý nhiều ý tưởng như việc lật cell và sử dụng transistor gate-all-around.

Công nghệ DRAM không tụ điện cũng đang được nghiên cứu, với Neo Semiconductor đề xuất sử dụng cell thân nổi có cổng kép. Mặc dù có tiềm năng lớn, việc này đòi hỏi nhiều năm phát triển trước khi có thể áp dụng rộng rãi.