Lộ trình mới của Samsung cho thấy công nghệ cung cấp năng lượng mặt sau 2nm sẽ ra mắt vào năm 2027

Samsung sẽ ra mắn công nghệ 2nm với cung cấp năng lượng mặt sau vào năm 2027, phù hợp với AI.

: Samsung đã công bố lộ trình mới cho công nghệ chế tạo chip 2nm, dự kiến ra mắt vào năm 2027 với cải tiến cung cấp năng lượng mặt sau. Công nghệ này hứa hẹn giải quyết vấn đề nhiễu và giảm điện áp, tăng hiệu suất cho tính toán hiệu năng cao. Công ty cũng đang phát triển quy trình 1.4nm và dự kiến áp dụng transistor GAA vào các sản phẩm mới.

Tại sự kiện Foundry Forum gần đây, Samsung đã tiết lộ lộ trình mới nhất của mình với công nghệ chế tạo chip tiên tiến. Với quy trình 2nm SF2Z và tính năng cung cấp năng lượng mặt sau, Samsung nhắm đến việc cải thiện đáng kể trong hiệu suất và hiệu quả điện năng cho các ứng dụng tính toán hiệu năng cao vào năm 2027.

Công ty cũng đang phát triển quy trình 1.4nm và có kế hoạch áp dụng công nghệ transistor GAA, đã bắt đầu sản xuất từ năm 2022, vào quy trình 2nm của mình. Công nghệ GAA hứa hẹn mang lại hiệu suất chuyển mạch vượt trội và tiêu thụ điện năng thấp hơn so với thiết kế FinFET truyền thống.

Ngoài ra, Samsung đang mở rộng kinh doanh nhà máy của mình nhờ vào sự bùng nổ của AI, với sự gia tăng đáng kể doanh số liên quan đến AI trong các quy trình sản xuất của mình. Tín hiệu tích cực từ thị trường cho thấy rằng công nghệ mới của Samsung sẽ có tác động lớn đến ngành công nghiệp bán dẫn trong những năm tới.