Loại bộ nhớ flash mới dựa trên graphene ghi dữ liệu trong 400 picosecond, phá vỡ mọi kỷ lục về tốc độ

Một loại bộ nhớ flash mới đã được phát triển bởi nhóm nghiên cứu từ Đại học Fudan ở Thượng Hải, với sự dẫn dắt của Giáo sư Zhou Peng. Nó đã ghi nhận tốc độ chưa từng có trong lĩnh vực này: 400 picosecond để ghi dữ liệu. Điều này có nghĩa là thiết bị có thể thực hiện được 25 tỷ thao tác mỗi giây, nhanh hơn kỷ lục trước đó gấp 100,000 lần, vượt xa tốc độ của bất kỳ loại hình bộ nhớ bán dẫn tương tự nào.

Sự phát triển này mở ra những triển vọng quan trọng cho lĩnh vực trí tuệ nhân tạo. Khi các mô hình AI ngày càng lớn hơn và phức tạp hơn, yêu cầu công nghệ lưu trữ dữ liệu càng cao. Các bộ nhớ flash truyền thống thường có nhược điểm về tốc độ dù tiết kiệm năng lượng và lưu dữ liệu ngay cả khi không có nguồn. Với sự ra đời của PoX, chúng ta có cơ hội nâng cao đáng kể hiệu quả xử lý dữ liệu và quản lý năng lượng.

Công nghệ này sử dụng graphene, một vật liệu nổi tiếng với khả năng dẫn điện vượt trội, để cải thiện cấu trúc vật lý của bộ nhớ flash. Thay vì dùng silicon thông thường, các nhà nghiên cứu đã áp dụng cấu trúc Dirac band để tối ưu hóa 'super-injection', cho phép dòng điện đi qua một cách gần như không bị cản trở đến lớp lưu trữ.

Giáo sư Zhou Peng đã chia sẻ: "Điều khác biệt này giống như thiết bị hoạt động 1 tỷ lần trong một cái nháy mắt, trong khi một chiếc USB thông thường chỉ có thể hoạt động 1,000 lần." Với khả năng xử lý thời gian thực từ khối lượng dữ liệu lớn, PoX có thể trở thành giải pháp cho các vấn đề tiêu tốn năng lượng và hiệu quả của giới hạn hiện tại.

Ngoài ra, PoX còn tạo điều kiện để phát triển các ứng dụng thực tế khác, không chỉ giới hạn ở điện tử tiêu dùng. Khả năng xử lý và truy cập dữ liệu nhanh chóng có thể giúp thúc đẩy các lĩnh vực nghiên cứu, phát triển trí tuệ nhân tạo và tự động hóa.

Nguồn: TechSpot, Electronics