SanDisk và SK hynix hợp tác phát triển High Bandwidth Flash, hứa hẹn tăng tới 16 lần bộ nhớ cho AI GPUs so với HBM

SanDisk và SK hynix đã công bố hợp tác để phát triển công nghệ High Bandwidth Flash (HBF), hứa hẹn mang lại khả năng đột phá trong thị trường NAND Flash. Theo thông tin từ SanDisk, mục tiêu của họ là tăng tốc đáng kể thị trường NAND Flash về dung lượng lưu trữ thông qua công nghệ HBF mới này. Đây là một hệ thống thiết kế hybrid kết hợp giữa dung lượng lưu trữ của chip 3D NAND và tốc độ dữ liệu cao của các sản phẩm HBM, mang lại khả năng lưu trữ tối đa 4 terabyte chỉ bằng một chip HBF.

Việc hợp tác này cũng đánh dấu bước tiến quan trọng, nhằm đặt ra một chuẩn chung cho các sản phẩm HBF. Bằng cách này, SanDisk và SK hynix sẽ định nghĩa các yêu cầu công nghệ và khuyến khích sự phát triển của hệ sinh thái HBF. Ông Alper Ilkbahar, Phó Chủ tịch Điều hành và Giám đốc Công nghệ của SanDisk đánh giá cao khả năng của SK hynix trong việc tăng tốc sự chấp nhận công nghệ bộ nhớ mới này.

Đáng chú ý, HBF được thiết kế đặc biệt với khả năng mở rộng để phục vụ nhu cầu từ ngành công nghiệp AI. Ông Ilkbahar nhấn mạnh, chỉ cần một chip HBF, các mô hình ngôn ngữ lớn như GPT-4 có thể được lưu trực tiếp trong VRAM của GPU, không cần thiết phải truy cập vào ổ SSD hoặc các đơn vị lưu trữ lớn khác.

Chủ tịch SK hynix, ông Hyun Ahn, cũng lạc quan với triển vọng của HBF, nhấn mạnh rằng các giải pháp bộ nhớ và lưu trữ đòi hỏi hiệu suất cao là yếu tố then chốt để cải thiện các công nghệ IT thế hệ tiếp theo. Sự hợp tác này cũng bao gồm một Ủy ban Tư vấn Kỹ thuật để quản lý việc phát triển và chiến lược thị trường của HBF. Dự kiến các mẫu chip đầu tiên sẽ xuất hiện từ nửa cuối 2026.

Nguồn: SanDisk, SK hynix, TechSpot