UltraRAM tiến gần hơn đến sản xuất sau nhiều năm phát triển
UltraRAM đang tiến gần đến sản xuất thương mại sau nhiều năm phát triển, hứa hẹn khả năng lưu trữ và tốc độ như DRAM với hơn 10 triệu chu kỳ ghi/xóa.

UltraRAM đại diện cho sự kết hợp tiềm năng giữa hai loại bộ nhớ quan trọng: RAM và NAND. Công nghệ này đã xuất hiện trên TechSpot từ hơn ba năm trước, với mục tiêu mang lại những lợi thế tốt nhất của cả hai dạng bộ nhớ mà không có những hạn chế. Đặc biệt, UltraRAM hứa hẹn tốc độ tương tự DRAM nhưng lại có tính chất không thay đổi, vượt trội về độ bền và hiệu quả năng lượng cao. Nguyên mẫu thử nghiệm ban đầu cho thấy khả năng giữ dữ liệu đến 1.000 năm và chịu hơn 10 triệu chu kỳ ghi/xóa, gấp 100 lần so với flash truyền thống.
UltraRAM đã được IQE plc phát triển qua một quy trình epitaxy mở rộng, đây là một cột mốc lớn hướng tới sản xuất công nghiệp như CEO Jutta Meier đã mô tả. Dự án này đã kéo dài một năm và đánh dấu một bước tiến quan trọng trong việc thương mại hóa công nghệ đầy hứa hẹn này. Sự phát triển này giúp đưa UltraRAM trở lại tâm điểm chú ý của công nghệ bộ nhớ trong bối cảnh các công ty lớn như Intel và Samsung gặp khó khăn trong nỗ lực tương tự.
Các công ty lớn đã từng bày tỏ tham vọng tương tự với UltraRAM. Intel, một thời gian đã phát triển nền tảng Optane của riêng mình nhưng quyết định từ bỏ nó vào năm 2022 do không đạt được thành công mong muốn. Trong khi đó, Samsung đã tái khởi động sản phẩm Z-NAND của họ nhằm tiếp tục mục tiêu kết hợp hai dạng bộ nhớ và nhắm tới các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo.
Những nỗ lực từ Quinas và các đối tác trong việc triển khai sản xuất thí điểm có thể không bảo đảm thành công toàn diện, nhưng họ vẫn tiếp tục kiên định với ý tưởng kết hợp hai loại bộ nhớ này. IQE plc và Quinas đang làm việc chặt chẽ với các foundry và cộng tác viên chiến lược để đẩy nhanh công tác công nghiệp hóa UltraRAM.
Nguồn: TechSpot, Tom's Hardware, IQE plc